Modelarea dispozitivelor semiconductoare active. Manual de laborator
Timp confirmare stoc: 1 - 2 zile lucratoare
DESCRIERE
Modelarea dispozitivelor semiconductoare active. Manual de laborator
Lucrarea 1. Utilizarea programului SPICE
Lucrarea 2. Jonctiunea p-n
Lucrarea 3. Comportarea tranzitorie a jonctiunii p-n
Lucrarea 4. Capacitatea jonctiunii p-n
Lucrarea 5. Strapungerea jonctiunii p-n
Lucrarea 6. Circuitul echivalent al celulei fotovoltaice
Lucrarea 7 Regimul static al tranzistorului bipolar ideal
Lucrarea 8. Modelul complet de semnal mic al tranzistorului bipolar in regiunea activa directa
Lucrarea 9. Modelul complet de semnal mic al tranzistorului MOS in regim de
saturatie
Lucrarea 10. Trasarea caracteristicilor de drena pentru tranzistorul cu efect de camp cu grila de jonctiune
Lucrarea 11. Oxidarea siliciului
Lucrarea 12. Difuzia din sursa limitata. Distributia Gauss



REVIEW-URI